Kompanija Samsung Electronics saopštila je da je počela masovnu proizvodnju prve 3D vertikalne NAND (V-NAND) fleš memorije u toj grani industrije.
Postigavši napredak u performansama i prostoru, novi 3D V-NAND koristiće se u širokom spektru potrošačkih elektronskih uređaja i korporativnih primena, uključujući ugradjena NAND skladišta i SSD.
Samsungov novi V-NAND nudi gustinu od 128 gigabita (Gb) na jednom čipu, koristeći vertikalnu strukturu ćelije koja se zasniva na tehnologiji 3D Charge Trap Flash (CTF) i tehnološkom procesu vertikalnog medjusobnog povezivanja kako bi povezao matricu 3D ćelije.
Primenom obe tehnologije, Samsungov 3D V-NAND može da ponudi za više od dva puta veće skaliranje planarnog NAND fleša u klasi od 20 nm.
Potpredsednik poslovne jedinice za fleš proizvode i tehnologije u kompaniji Samsung Electronics Džong-Hjuk Čoi je kazao da je nova 3D V-NAND fleš tehnologija rezultat dugogodišnjih napora zaposlenih da prevazidju granice konvencionalnog načina razmišljanja i slede inovativnije pristupe u prevazilaženju ograničenja u dizajnu tehnologije memorijskih poluprovodnika.
“Nakon masovne proizvodnje prve 3D V-NAND fleš memorije, nastavićemo da predstavljamo ove proizvode sa boljim performansama i većom gustinom, što će doprineti rastu globalne industrije memorije”, dodao je Čoi.
